公司在掃描隧道顯微鏡、分子束外延和石墨烯薄膜宏觀(guān)量的制造設(shè)備等領(lǐng)域處于國(guó)際領(lǐng)先水平， xy電動(dòng)位移臺(tái)建設(shè)了包括材料科學(xué)、機(jī)械設(shè)計(jì)、電子工程、儀器設(shè)計(jì)、銷(xiāo)售、財(cái)務(wù)等領(lǐng)域人才的研發(fā)隊(duì)伍，專(zhuān)注于真空、超高真空設(shè)備及其零部件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、服務(wù)。 堅(jiān)持“創(chuàng)新、質(zhì)量、服務(wù)”的發(fā)展理念，致力于科學(xué)儀器國(guó)產(chǎn)化，提供滿(mǎn)足市場(chǎng)需求的真空儀器，全力成為國(guó)內(nèi)、國(guó)際先進(jìn)檢測(cè)的科研儀器綜合解決方案提供商。

公司產(chǎn)品自主完成設(shè)計(jì)和制造，其中超高真空與MBE核心零部件的質(zhì)量性能在國(guó)際同行中同步，采用全球化供應(yīng)鏈進(jìn)行配置。 在高溫隧道掃描顯微鏡彩色和石墨烯薄膜宏量制造裝備領(lǐng)域，處于更國(guó)際的前沿。 公司擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，現(xiàn)已申請(qǐng)專(zhuān)利、專(zhuān)利，其中申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利。 公司貫徹落實(shí)ISO質(zhì)量體系，確保產(chǎn)品質(zhì)量，以“創(chuàng)新、質(zhì)量、服務(wù)”的標(biāo)準(zhǔn)，全力成為國(guó)際先進(jìn)的科研儀器研發(fā)、制造商。

在真空蒸鍍裝置中，電子束蒸發(fā)源比電阻加熱蒸發(fā)源復(fù)雜得多，但由于蒸發(fā)耐火材料的能力和高膜純度，優(yōu)于電阻加熱蒸發(fā)源。 用于電子束加熱的蒸發(fā)源有直槍型電子槍和e型電子槍(也是圓形)、電子發(fā)射源(通常熱鎢陰極為電子源)、電子加速電源、橙色災(zāi)害、磁勵(lì)磁線(xiàn)圈、冷卻水套等兩種。 將薄膜材料放入水冷式災(zāi)害，從源發(fā)射電子束，利用磁場(chǎng)線(xiàn)圈聚焦電子束使其偏轉(zhuǎn)，碰撞薄膜材料進(jìn)行加熱。 e型電子束蒸發(fā)源發(fā)射的電子軌跡與“e”相似，因此稱(chēng)為“e”電子束源，簡(jiǎn)稱(chēng)電子槍。

主要由發(fā)射器組件(電子槍)、偏轉(zhuǎn)磁極靴和電子線(xiàn)圈、水冷坩堝和位移機(jī)構(gòu)、散射的電子和離子收集器構(gòu)成。 電子束蒸發(fā)是將薄膜材料放入水冷的銅坩堝中，直接用電子束加熱，使薄膜材料中的原子和分子蒸發(fā)，從表面釋放出來(lái)，進(jìn)入基板表面，凝結(jié)成電影。 到了年代中期，磁偏轉(zhuǎn)電子束蒸發(fā)源的蒸發(fā)增加了沉積速度，克服了環(huán)槍蒸發(fā)中氣體容易排放、功率低和直接槍支蒸發(fā)源占有很大空間的問(wèn)題 。 二次電子損傷大的缺點(diǎn)得到廣泛應(yīng)用，特別是在集成電路技術(shù)方面，取得了良好的效果。

展望未來(lái)，國(guó)成將始終堅(jiān)持“常用中國(guó)設(shè)備”的發(fā)展理念，為客戶(hù)提供專(zhuān)業(yè)的技術(shù)解決方案和服務(wù)。加大對(duì)科學(xué)儀器裝備進(jìn)步和工業(yè)制造水平提高貢獻(xiàn)力度，全力打造成為國(guó)際領(lǐng)先的科研儀器綜合解決方案提供商。